阵列写策略：Write-Back 与 Write-Through

Write-Back 先把数据写入卡上缓存即返回，性能高但依赖掉电保护；Write-Through 等数据落到盘再返回，更安全但慢。电池/电容状态会改变控制器的默认策略。

策略对照

策略	行为	性能	掉电风险
Write-Back (WB)	先写缓存后落盘	高	掉电丢缓存数据（有 BBU/电容时可控）
Write-Through (WT)	直写磁盘后返回	低	无缓存数据丢失

storcli /c0/v0 show all | grep -i "write"
storcli /c0/v0 set wrcache=WB

电池或电容故障时部分卡会自动切到 WT；发现性能突变时先查缓存策略是否被降级。

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