写策略怎么选
写策略决定控制器在什么时点向操作系统确认写完成。Write-Back（WB）先把数据写进卡上缓存就返回，性能高，但必须有掉电保护兜底；Write-Through（WT）等数据真正落到盘再返回，更安全但慢。部分卡还提供 Always Write Back，即忽略电池状态强行使用缓存加速，性能最好但掉电丢数据的风险完全由业务承担，生产环境不建议开启。
策略对照
| 策略 | 行为 | 性能 | 掉电风险 |
|---|---|---|---|
| Write-Back | 先写缓存后落盘 | 高 | 有电池或电容保护时可控，无保护则丢数据 |
| Write-Through | 直写磁盘后返回 | 低 | 无缓存数据丢失 |
| Always Write Back | 忽略电池状态使用缓存 | 最高 | 完全依赖运气，不建议生产使用 |
查看与修改（storcli 示例）
查看与修改（storcli 示例）
storcli /c0/v0 show all | grep -i "write" # 查看当前写策略
storcli /c0/v0 set wrcache=WB # 改为 Write-Back
storcli /c0/v0 set wrcache=WT # 改为 Write-Through
storcli /c0/bbu show all | grep -iE "state|Failed" # 确认保护模块状态
storcli /c0/cv show all # 电容（CacheVault）状态相关概念
| 保护模块 | BBU 电池或超级电容 + 闪存模块，负责掉电时把缓存内容保存下来 |
|---|---|
| Learn Cycle | 电池定期自检，期间策略可能临时降级为 Write-Through |
| Read 策略 | Direct 与 Cached，影响顺序读的预读行为 |
| 策略漂移 | 更换电池或固件升级后策略可能被重置，交付验收要复核 |
怎么选
- 有健康的电池或电容：Write-Back，兼顾性能与安全
- 保护模块故障或未安装：Write-Through，宁可慢也不要丢
- 性能压测阶段：可临时启用 Write-Back 观察上限，压测结束回到与保护状态匹配的策略
- 任何情况下都不建议 Always Write Back：性能数字好看，代价是数据
电池或电容故障时部分卡会自动切到 Write-Through；发现性能突变时先查缓存策略是否被降级，再怀疑别的地方。